美光宣布第九代NAND闪存技术（276 层）量产

　　美光科技公司宣布，其第九代 （G9） TLC NAND 固态硬盘采用 SSD 封装，标志着一个重要的行业里程碑。G9 NAND 的传输速度为 3.6 GB/s，为数据读取和写入提供卓越的带宽。这种先进的 NAND 技术旨在提高人工智能 （AI） 和跨个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心的数据密集型应用程序的性能。

　　美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 强调了技术进步，他说：“美光 G9 NAND 的出货展示了美光在工艺技术和设计创新方面的专业知识。G9 NAND 的密度最高可提高 73%。”

　　美光的 G9 NAND 与目前用于 SSD 的任何 NAND 相比，数据传输速度提高了 50%。与现有的竞争性 NAND 解决方案相比，它还拥有高达 99% 的写入带宽和 88% 的每颗芯片的读取带宽。这些增强功能可显著提高 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能和能效。G9 NAND 采用紧凑的 11.5 mm x 13.5 mm 封装，比竞争产品占用的空间少 28%，是市面上最小的高密度 NAND。这种更小的尺寸最大限度地提高了各种用例的设计选项。

　　美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 强调：“美光连续第三代在引入创新 NAND 技术方面引领行业。与竞争解决方案相比，集成美光G9 NAND的产品将提供显著的性能优势。”

　　美光 2650 NVMe SSD 采用 G9 TLC NAND，在日常计算中提供卓越的用户体验，在 PCMark 10 测试中超越了竞争对手。美光副总裁兼客户端存储总经理 Prasad Alluri 表示：“美光 2650 SSD 已接近 PCIe Gen 4 的理论饱和水平，利用我们的新 G9 NAND 重新定义了 TLC 客户端 SSD 可以实现的价值。与竞争解决方案相比，该硬盘的 PCMark 10 基准测试分数高出 38%。”

　　IDC 固态硬盘和使能技术研究副总裁 Jeff Janukowicz 指出：“AI 的进步正在生成更多数据，推动了对增强存储性能的需求。像美光 2650 这样的固态硬盘受益于最新的 NAND 创新技术，对于广大用户来说至关重要。”

　　美光 2650 NVMe SSD 提供可靠的性能和加速缓存，可实现更快的写入速度，这得益于其动态 SLC 缓存。它为 PCIe Gen 4 实现了高达 7,000 MB/s 的顺序读取性能，优于竞争对手，顺序读取性能提高了 70%，顺序写入能力提高了 103%，随机读取能力提高了 156%，随机写入能力提高了 85%。这些指标凸显了美光致力于推进技术和提供高性能解决方案的承诺。

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