美光预计明年将占据HBM市场20%以上的份额 高于目前的9%

　　美光科技迈出了大胆的战略步伐，跨越了第四代高带宽内存(HBM)HBM3，直接进军了第五代HBM(HBM3E)，旨在占领下一代HBM市场的重要份额。这一决定已经开始得到回报，因为美光获得了英伟达的订单并开始增加其供应量，最终在去年年底向英伟达全面供应HBM3E。

　　3月，SK海力士开始量产和交付8层HBM3E，随后三星在4月开始量产。截至4月底，SK海力士计划在今年第三季度完成12层HBM3E的开发，并于明年供货。然而，在短短一周内，SK海力士修改了其路线图，以“在5月提供样品，在第三季度量产”。

　　据业内消息人士6月28日消息，美光在2024财年第三季度(2024年3月至5月)财报电话会议上宣布，其第五代HBM(HBM3E)在此期间的收入超过1亿美元.这一里程碑突显了美光进军HBM市场的积极进军，预计明年将占据20%以上的市场份额，并计划将其份额提高到25%。

　　韩国投资证券评论了三星的进展，称：“三星的HBM3E Nvidia认证正在取得进展，目标是在第三季度完成8层认证，在第四季度完成12层认证。没有三星电子，就不可能确保足够的 HBM 供应。从英伟达的角度来看，它别无选择，只能积极寻求三星电子的认证。

　　三星电子一直积极推进其 HBM 战略，一位发言人表示：“今年，我们的 HBM 供应量比去年增加了三倍多。明年，我们的供应量是今年的两倍多。三星目前正在向客户提供 12 层产品样品，并计划明年量产 12 层 HBM3E。”

　　目前拥有HBM市场占有率53%的SK海力士决定将原定于2026年生产的12层HBM4(第6代)的量产提前到明年。该公司还计划在其清州 M15x 工厂建立集成的 HBM 生产工艺，包括 EUV(极紫外线)设备，目标是在 2025 年完工，并于 2026 年第三季度投入运营。

　　拥有 HBM 9% 市场份额的美光正在考虑将其马来西亚工厂改造成 HBM 专用生产线，并扩建其在台湾台中的 HBM 生产线。此外，美光在日本广岛的新工厂将作为 HBM 生产基地，进一步巩固其成为 HBM 市场主要参与者的承诺。

　　NH Investment & Securities强调了竞争格局，指出：“HBM比例的增加和低良率将导致DRAM供应减少。最终，SK海力士和三星电子的有利环境将继续存在，前者在HBM方面具有竞争力，后者在供应短缺的情况下具有数量优势。”

　　随着对高性能计算、AI 应用程序和 GPU 的需求持续激增，主导 HBM 市场的竞争正在加剧。美光的战略决策和 HBM 技术的快速发展使其成为与 SK 海力士和三星电子等老牌巨头的强大竞争对手。未来几年对于确定这些公司如何驾驭不断变化的格局并满足半导体行业不断增长的需求至关重要。

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